اثر برهم کنش الکترون- فونون بر ترابرد الکتریکی از یک تک مولکول

تاثیر برهم کنش الکترون-فونون بر رسانش الکتریکی پل مولکولی

مطالعه رسانایی الکتریکی در سامانه های مزوسکوپیک یکی از اساسی ترین مسایل در فیزیک نانو ساختار است. در سال های اخیر، علاقه روزافزونی در مورد رسانش الکتریکی در نقطه‏های کوانتومی، سیم‏های کوانتومی و سیم‏های مولکولی وجود داشته است. رسانش الکترونیک یک موضوع نسبتا داغ است تا آنجا که هم از نظر کاربردهای فنی و هم از نظر فهم مفاهم فیزیکی بنیادی که در ارتباط با آن ها ظاهر می شود، جالب توجه و مورد علاقه ی ...

برهمکنش الکترون - فونون در ابررساناهای دمای بالا

  We explore the important role of the strong electron-phonon interaction in high temperature superconductivity through the study of the results of some important experiments, such as inelastic neutron and X-ray scattering, angle resolved photoemission spectroscopy, and isotope effects. We also present our computational results of the eigenvalues and eigenvectors of the Ag Raman modes, and the ...

ترابرد اسپینیِ زنجیرِ کربنی در حضور برهمکنش الکترون-فونون

زنجیر¬های کربنی ساختارهای یک بعدی هستند که اخیراً با استفاده از روش¬های تجربی، به صورت پایدار، تولید می¬شوند. این ساختارها نسبت به نانونوارهای گرافینی و نانولوله¬های کربنی، خصوصیات بارزی دارند. آرایش پیوندی در این زنجیر¬های کربنی منجر به خواص ویژه از جمله رسانندگی بالا می-شود. همچنین حالت¬های جفت نشده در این زنجیر¬ها باعث ایجاد خواص مغناطیسی می¬گردند. از سوی دیگر انتظار می¬رود این زنجیر¬ها به دل...

مولکول های ایزوالکترونی (هم الکترون)

اثر تغییر مکان یک ‌بار یا دوقطبی الکتریکی بر ترابرد الکترونی یک نانو بلور با ساختار مکعبی ساده

In this paper, we investigate the electrical conductance and density of states of a nanocrystal including an electrical charge or dipole located at cross section of nanocrystal by using Green’s function method in the nearest neighbor tight-binding approach. The results show that moving the electrical charge from center to the edge of the nanocrystal increases the system transmission coefficient...

بررسی برهمکنش های الکترون-الکترون، الکترون-فونون، الکترون-فوتون و اسپین-مدار راشبا در خواص الکترونی و ترابرد نانوساختارهای گرافنی

در این تحقیق با استفاده از روش بستگی قوی و هامیلتونی بسط داده شده بر پایه اوربتال¬های اتمی و فرمول¬بندی تابع گرین به بررسی برهمکنش¬های الکترون-الکترون، الکترون-فونون، الکترون-فوتون و اسپین-مدار راشبا بر روی خواص الکترونی، مغناطیسی و ترابرد در نانو ساختارهای کربنی می¬پردازیم. وجود لبه¬های زیگزاگ در نقاط کوانتومی کربنی موجب جایگزیدگی اسپین بر روی لبه¬ها و مغناطش خالص در نانوساختار می¬شود. برای بر...